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氮化镓

0.45um GaN/SiC HEMT工艺

0.45um GaN/SiC HEMT工艺

我司拥有完整的0.45um SiC基GaN HEMT 射频芯片制造工艺平台,应用于射频微波GaN芯片生产,面向于移动通信,航空航天等应用领域。 良好的成本控制和快速交付的能力,可以为客户提供高成品率,同时可提供辅助设计,光罩制作,直流测试筛选,晶圆划片等多项目服务。
0.25um GaN/SiC HEMT工艺

0.25um GaN/SiC HEMT工艺

我司拥有完整的0.25um SiC基GaN HEMT 射频芯片制造工艺平台,应用于射频微波GaN芯片生产,面向于移动通信,航空航天等应用领域。 良好的成本控制和快速交付的能力,可以为客户提供高成品率,同时可提供辅助设计,光罩制作,直流测试筛选,晶圆划片等多项目服务。
0.15um GaN/SiC HEMT工艺

0.15um GaN/SiC HEMT工艺

我司拥有完整的0.15um SiC基GaN HEMT 射频芯片制造工艺平台,包含晶圆制造工艺技术以及完整的PDK模型库,用于射频微波GaN芯片生产,面向于移动通信,航空航天等应用领域。 具有良好的成本控制和快速交付的能力,可以为客户提供高成品率,同时可提供辅助设计,光罩制作,直流测试筛选,晶圆划片等多项目服务。
0.25um GaN/SiC HEMT工艺

0.25um GaN/SiC HEMT工艺

我司拥有完整的0.25um SiC基GaN HEMT 射频芯片制造工艺平台,包含晶圆制造工艺技术以及完整的PDK模型库,用于射频微波GaN芯片生产,面向于移动通信,航空航天等应用领域。 良好的成本控制和快速交付的能力,可以为客户提供高成品率,同时可提供辅助设计,光罩制作,直流测试筛选,晶圆划片等多项目服务。

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