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0.25um GaN/SiC HEMT工艺


参数

GN25_01(High Gain)

Gate Length

0.25um

 Wafer Size

 4-inch GaN on SiC

 Drain bias(Vd)

 28V

Operation Frequencies

DC-18GHz

Breakdown Voltage

>84V

MIM CAP

225pF/mm2

Metal 1

Evaporated 1.0um

 Metal 2

 Plated 4.0um

 Thin film resistor

 50Ω/□

 Die Singulation

 Stealth Dicing

 Wafer Edge Exclusion

 2mm

 Backside Via

 30*60um/40*40um

 Thinned Wafer Thickness

 75um

我司拥有完整的0.25um SiCGaN HEMT 射频芯片制造工艺平台,包含晶圆制造工艺技术以及完整的PDK模型库,用于射频微波GaN芯片生产,面向于移动通信,航空航天等应用领域。

良好的成本控制和快速交付的能力,可以为客户提供高成品率,同时可提供辅助设计,光罩制作,直流测试筛选,晶圆划片等多项目服务。





          


0.25um GaN/SiC HEMT工艺
我司拥有完整的0.25um SiC基GaN HEMT 射频芯片制造工艺平台,包含晶圆制造工艺技术以及完整的PDK模型库,用于射频微波GaN芯片生产,面向于移动通信,航空航天等应用领域。
良好的成本控制和快速交付的能力,可以为客户提供高成品率,同时可提供辅助设计,光罩制作,直流测试筛选,晶圆划片等多项目服务。
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