| 参数 | GN25_01(High Gain) |
| Gate Length | 0.25um |
Wafer Size | 4-inch GaN on SiC |
Drain bias(Vd) | 28V |
Operation Frequencies | DC-18GHz |
Breakdown Voltage | >84V |
MIM CAP | 225pF/mm2 |
Metal 1 | Evaporated 1.0um |
Metal 2 | Plated 4.0um |
Thin film resistor | 50Ω/□ |
Die Singulation | Stealth Dicing |
Wafer Edge Exclusion | 2mm |
Backside Via | 30*60um/40*40um |
Thinned Wafer Thickness | 75um |
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